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NP82N04MUG, NP82N04NUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
8
6
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
4
1000
C oss
2
V GS = 10 V
I D = 41 A
V GS = 0 V
C rss
0
Pulsed
100
f = 1 MHz
-75
-25
25
75
125
175
225
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
10
100
t d(off)
t r
40
30
V DD = 32 V
20 V
8V
V GS
8
6
t d(on)
20
4
10
t f
1
V DD = 20 V
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
10
0
V DS
I D = 82 A
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
10 V
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
10
1
V GS = 0 V
0.1
0.01
Pulsed
10
di/dt =100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D19803EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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